Samsung Electronics développerait sa mémoire V-NAND de la septième génération avec empilage 3D ultra-élevé. Le premier modèle présentera au moins niveaux 160, les modèles ultérieurs offriront plus. Samsung, qui n'a jamais voulu céder l'initiative technologique au YMTC chinois, devrait lancer le premier V-NAND à 160 couches au cours de la période où le flash NAND 3D à 128 couches de YMTC atteindra la production de masse vers la fin de 2020.
Le cœur de la pile 3D ultra-haute est une technologie propriétaire Double pile par Samsung. La technologie à double pile crée des trous d'électrons en deux temps distincts pour que le courant passe à travers les circuits. Les puces à pile unique de la génération actuelle créent ces trous une fois dans la pile de cycles. Le flash NAND à 160 couches devrait annoncer une augmentation de 67% des densités par paquet par rapport aux puces à 96 couches du marché. Les densités pourraient également être augmentées par d'autres moyens, tels que le passage à de nouveaux nœuds de fabrication de semi-conducteurs et PLC (5 bits par cellule), actuellement en cours de développement par KIOXIA.
